在PD快充和電源適配器設(shè)計(jì)領(lǐng)域,輝芒微的FT8493系列憑借其高集成度、雙繞組架構(gòu)和極簡(jiǎn)外圍設(shè)計(jì),成為20-30W功率段的熱門(mén)選擇。該系列目前主要有兩個(gè)型號(hào):FT8493KA和FT8493PA,兩者看似相似,實(shí)則定位不同。本文將從實(shí)際應(yīng)用角度出發(fā),幫你理清選型思路。
| 參數(shù) | FT8493KA | FT8493PA |
|---|---|---|
| 典型功率(90-264Vac) | PD 20W | PD 25W |
| 典型功率(230Vac±15%) | PD 25W | PD 30W |
| 封裝形式 | SOP8 | SOP8 |
| 內(nèi)置功率管耐壓 | 750V | 750V |
| 待機(jī)功耗 | <75mW | <75mW |
| 工作模式 | CCM + 抖頻 | CCM + 抖頻 |
| 保護(hù)功能 | OVP/UVLO/SCP/OTP | OVP/UVLO/SCP/OTP |
結(jié)論:兩者在電氣特性、保護(hù)功能、封裝尺寸上完全一致,唯一的區(qū)別在于內(nèi)置功率管的導(dǎo)通電阻(Rds(on))不同,導(dǎo)致載流能力存在差異,最終體現(xiàn)在最大輸出功率上。

兩款芯片均采用雙繞組+次邊反饋(SSR)架構(gòu),相比傳統(tǒng)三繞組方案,省去了輔助繞組和VDD二極管,BOM成本顯著降低。典型應(yīng)用電路如下:
均支持逐周期限流、VCC過(guò)壓、欠壓鎖定、輸出短路、過(guò)溫保護(hù)(OTP),系統(tǒng)可靠性有保障。
FT8493PA的內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻更小
在SOP8封裝(熱阻約80-100°C/W)的限制下,功率差異直接影響了溫升表現(xiàn):
| 應(yīng)用場(chǎng)景 | 推薦型號(hào) | 理由 |
|---|---|---|
| 20W PD快充,封閉外殼 | FT8493KA | 成本優(yōu)先,功率匹配 |
| 25W PD快充,開(kāi)放環(huán)境 | FT8493KA/PA均可 | 根據(jù)散熱條件選擇 |
| 25W PD快充,封閉外殼 | FT8493PA | 降低導(dǎo)通損耗,控制溫升 |
| 30W高功率密度設(shè)計(jì) | FT8493PA | 唯一選擇 |
開(kāi)始選型
│
▼
應(yīng)用場(chǎng)景功率需求?
│
├── ≤20W ──→ FT8493KA(性價(jià)比最優(yōu))
│
├── 20-25W ──→ 散熱條件好?──→ 是 ──→ FT8493KA
│ │
│ └──→ 否 ──→ FT8493PA
│
└── ≥25W ──→ FT8493PA(必須)
1、成本敏感型產(chǎn)品(如基礎(chǔ)款充電器):選KA,單顆芯片成本更低
2、溫升要求嚴(yán)苛(如迷你快充、GaN搭配設(shè)計(jì)):選PA,損耗更低
3、平臺(tái)化設(shè)計(jì):建議統(tǒng)一用PA,一顆料覆蓋20-30W全系列,減少庫(kù)存管理成本

規(guī)格書(shū)中特別強(qiáng)調(diào)了PCB Layout的關(guān)鍵點(diǎn):
紅色走線(VCC電容回路+功率地回路)寬度必須≥0.3mm(銅厚1oz)
由于芯片省去了CS引腳,大電流路徑集中在:
Layout時(shí)需確保這些路徑短而粗,避免開(kāi)關(guān)噪聲干擾。
FT8493KA和FT8493PA是"同芯不同力"的關(guān)系。它們共享相同的控制架構(gòu)和保護(hù)邏輯,差異僅在于功率管的電流處理能力。深圳三佛科技提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~
| 選型原則 | 推薦 |
|---|---|
| 追求極致性價(jià)比,功率≤20W | FT8493KA |
| 需要功率余量,或散熱受限 | FT8493PA |
| 產(chǎn)品線覆蓋20-30W多功率段 | 統(tǒng)一用FT8493PA,簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈 |